摘要：為什么電磁爐IGBT管總是爆損?有的是在檢修時，一通電就爆損，有的是更換IGBT管時，試機時就會再次爆損。也有人說，更換電磁爐IGBT沒過多久有損壞了，還不如直接換板，本來30-40元的費用一下子增加成本幾百元不等，那為什么我們不學(xué)會自己檢修呢？所以今天小編特意為大家分享一篇關(guān)于電磁爐IGBT的檢修匯總，從分析原因、到維修故障以及怎么防止再次爆破，希望對大家有幫助。

一、電磁爐IGBT損壞的原因是什么？

在電磁爐的維修中，功率管（igbt）的損壞占有相當(dāng)大的比例，若沒有查明故障原因就貿(mào)然更換功率管，會引起再次損壞。小編在此給出功率管的常見八大原因，僅供參考。

原因一：0.3uf/1200v諧振電容，5uf/400v濾波損壞或容量不足。

在電磁爐中，若0.3uf諧振電容，5uf濾波電容容量變小，失效或特性不良，將導(dǎo)致電磁爐LC振蕩電路頻率偏高，從而引起IGBT管的損壞，經(jīng)查其它電路無異常時，我們必須將這兩個電容一起更換。

原因二：IGBT管激勵電路異常。

振蕩電路輸出的脈沖信號不能直接控制IGBT管飽和，導(dǎo)通，截止，必須通過激勵電路脈沖信號放大來完成，如果激勵電路出現(xiàn)問題，高電壓就會加到IGBT管的G極，導(dǎo)致IGBT管瞬間擊穿，常見為驅(qū)動管S8050S8550連帶損壞。

原因三：同步電路異常。

同步電路在電磁爐的主要作用是保證加到IGBT管的G極上的開關(guān)脈沖前沿與IGBT管上的VCE脈沖后沿同步，當(dāng)同步電路工作異常時，導(dǎo)致IGBT管瞬間擊穿損壞。

原因四：18V工作電壓異常。

在電磁爐中，當(dāng)18V工作電壓異常時會使IGBT管激勵電路，風(fēng)扇散熱系統(tǒng)及LM339工作異常，導(dǎo)致IGBT管上電瞬間損壞。

原因五：散熱系統(tǒng)異常。

電磁爐工作在大電流狀態(tài)下，其發(fā)熱量大，如果散熱系統(tǒng)出現(xiàn)故障會導(dǎo)致IGBT管過熱損壞。

原因六：單片機異常。

單片機內(nèi)部異常會因工作頻率異常而燒毀IGBT管。

原因七：VCE檢測電路異常。

VCE檢測電路將IGBT管的集電極上的脈沖電壓通過電阻分壓，取樣得到其取樣電壓，此電壓變化的信息送人CPU，CPU監(jiān)測該電壓的變化，發(fā)出各種相應(yīng)指令，當(dāng)VCE檢測電路異常時，VCE脈沖幅度值超過IGBT的極限值，從而導(dǎo)致IGBT 的損壞

原因八：用戶鍋具變形或鍋底凹凸不平。

在鍋底產(chǎn)生的渦流不能均勻的使變形的鍋具加熱，從而鍋底溫度傳感器檢測失常，CPU因檢測不到異常的溫度而繼續(xù)加熱，導(dǎo)致了IGBT 的損壞。

二、故障檢修

以某品牌PC200N型電磁爐通電即爆IGBT管的維修為實例。

故障現(xiàn)象：一臺該型電磁爐在維修試機通電時，即出現(xiàn)IGBT管爆損。
分析維修：該電磁爐已被多人修過但均未修復(fù)，目前只要一通電就爆損IGBT管。根據(jù)該故障的特點，維修范圍鎖定為：整機高低壓供電電路、LC振蕩電路、驅(qū)動放大電路、高壓檢測電路、同步電壓比較電路及使能關(guān)機保護電路(見附圖1)。小編的維修檢測步驟如下：

1．維修時，將電磁爐前后殼打開，在電源線L端子上串聯(lián)接入燈泡40W／220V(以防再損IGBT管)并上電待測。用500型萬用表直流電壓500V、50V、10V擋測得高壓供電電路的濾波電容器C6(5uF／275V)兩端電壓+305V，正常；測得低壓供電電路的濾波電容器EC7(220uF／25V)對地電壓+18V，正常；測得濾波電容器EC2(220uF／16V)對地電壓+5V，正常。
注：若上述電壓異常，多為C6、C1、DB1(RS2006)、Q7(D667)、Z3(18V／0．5W)、C7(104)、U1(LM7805)、C2(104)及TRANS(TZ41／3123141)等元器件受損所致!會使電磁爐出現(xiàn)上電即爆損ICBT管、不停地檢鍋、斷續(xù)加熱、報警不加熱及不報警不加熱的故障。

2．取下加熱線圈盤，上電時測得LC振蕩電路中IGBT管的集電極C對地峰壓快速上升至+35V后又降至+0．5V，正常；測得控制極G對地0V電壓，正常。

注：若上述電壓異常，多為C6、C3(0．27uF／1200V)、IC2(LM339)、Z4(18V／0．5W)、IGBT(FGA25N120 AND)及加熱線圈盤等元器件受損所致!會使電磁爐出現(xiàn)上電即爆損IGBT管、不停地檢鍋、斷續(xù)加熱、報警不加熱及不報警不加熱的故障。

3．測得驅(qū)動放大電路的三極管Q3(8050)基極對地電壓+0．4V，正常；集電極C對地電壓+18V，正常；發(fā)射極對地電壓0V，正常；Q4(8550)基極對地電壓+0．4V，正常；集電極C對地電壓0V，正常；發(fā)射極對地電壓0V，正常。
注：若上述電壓異常，多為Q7(D667)、Z3(18V／0．5W)、Z2(8．2V/0．5W)、Q15(8050)、Q6(8050)、Q3(8050)、Q4(8550)、C20(221)及R42(3．3K)等元器件受損所致!會致使電磁爐出現(xiàn)上電即爆損IGBT管、報警不加熱及不報警不加熱的故障。

4．測得同步電壓比較電路的IC2C⑧腳反相輸入端(即V-取樣)對地電壓+3．8V，正常；⑨腳同相輸入端(即V+取樣)對地電壓+4V，正常；14腳輸出端對地電壓+5V，正常。
注：若上述電壓異常，多為C6、R18(330k/2W)、R19(240k/2W)、R20(240k/2W)、C10(221)、R23(4.3k)、R24(2k)、C13(102)、R39(2k)、C34(2．2nF／63V)、IC2C(LM339)及D19(1N4148)等元器件受損而使電磁爐出現(xiàn)上電即爆損IGBT管、不停地檢鍋、斷續(xù)加熱、報警不加熱及不報警不加熱的故障。
5．測得使能關(guān)機保護電路的IC2D⑩腳反相輸入端(即V-取樣)基準(zhǔn)對地電壓+4．8V，正常；13腳輸出端對地電壓上升至+5V(正常為+0．4V)，IC2D已翻轉(zhuǎn)輸出高電平；再測得11腳同相輸入端(即V+取樣)對地電壓發(fā)現(xiàn)已上升至+4．9V(正常為+0．5V)。將萬用表撥至電阻R×100擋檢測使能關(guān)機保護電路相關(guān)元件，結(jié)果發(fā)現(xiàn)鉗位二極管D17(1N4148)已擊穿損壞。由于D17的損壞，使得電磁爐一旦通電致使前置放大電路的IC2D 11腳同相輸入端(即V+取樣)對地電壓超過⑩腳反相輸入端(即V-取洋)基準(zhǔn)電壓迫使IC2D翻轉(zhuǎn)輸出高電平，故始終造成IGBT管持續(xù)飽和導(dǎo)通后爆損IGBT管的故障發(fā)生。將D17更換后同時取下燈泡，并上電放鍋具試機加熱，整機恢復(fù)正常。

三、怎么確保更換IGBT管后不會再次損壞呢？

在電磁爐的維修中，IGBT管損壞比較常見，但更換了IGBT管后，如果沒有保障措施，很難保證試機時IGBT管不被再次損壞。本裝置可以在維修中，通過接入保護，防止二次燒壞IGBT管。其電路如附圖2所示。

工作原理：IGBT管的驅(qū)動信號，一路經(jīng)T1倒相，觸發(fā)NE555延時，③腳輸出高電平使T2飽和導(dǎo)通，不觸發(fā)可控硅VS。如驅(qū)動信號脈寬太長，在NE555延時值后依然保持高電平，由于③腳變低電平，T2截止，驅(qū)動信號觸發(fā)可控硅VS導(dǎo)通，通過二極管D，把射隨器T3的基極電位拉低，射隨停止輸出。如果驅(qū)動信號正常，則驅(qū)動信號直接通過5k電阻，經(jīng)T3射隨輸出。發(fā)光管LED，一方面起保護指示作用，另一方面，一旦可控硅VS觸發(fā)，可通過LED維持VS的導(dǎo)通狀態(tài)。
驅(qū)動脈沖的上沿，經(jīng)T1、NE555，到T2導(dǎo)通，需要一定的時間，為防止這瞬間驅(qū)動信號直接觸發(fā)可控硅導(dǎo)通，可控硅觸發(fā)極并接電容，以避免誤觸發(fā)。

電磁爐工作頻率20—30kHz;輸出的方波占空比也不一定保持50％，所以NE555⑥、⑦腳的RC值，正常的電磁爐IGBT管最大可能的驅(qū)動脈寬來取值。
元件選擇：T1—T3可用9014；可控硅用單向1A／400V，其他元件沒特殊要求。
不同電磁爐驅(qū)動部分電路選用的電壓不盡相同。NE555耐壓16V(本裝置選用15V)，電源另接(圖中電源部分略)。
具體接線不贅述。把輸入、輸出接好后，不要忘了接地線。
注：如果加熱線盤有匝間短路，本裝置就保護不到了。