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IGBT模塊與IPM雙箭齊發(fā),三菱電機的堅守與創(chuàng)變

 天正恒業(yè)168 2020-01-13

熔斷器

近日,在春風(fēng)暖陽中,三菱電機半導(dǎo)體大中國區(qū)在深圳舉辦了一場以功率模塊技術(shù)為主題的研討會。

在會議過程中,三菱電機功率器件制作所高級總工程師近藤晴房博士就功率器件發(fā)展與技術(shù)趨勢發(fā)表了主題演講,全面分享并解讀了三菱電機IGBT模塊和IPM在芯片技術(shù)與封裝技術(shù)方面的核心要點,及其在新材料與新應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展趨勢。

三菱電機功率器件制作所高級總工程師近藤 晴房博士發(fā)表《三菱電機功率器件及其應(yīng)用》的主題報告。

新型芯片技術(shù),提升模塊性能

作為功率器件的核心,IGBT芯片的重要性不言而喻。從早期的第三代IGBT平板型構(gòu)造,到第四代溝槽型構(gòu)造,三菱電機IGBT芯片技術(shù)一直處在行業(yè)領(lǐng)先地位。隨著芯片技術(shù)的不斷進步,三菱電機獨特的芯片架構(gòu)也走在行業(yè)前沿,于2003年開發(fā)推出了第五代CSTBTTM,接著推出了芯片更薄的第六代CSTBTTM ,以及最新的第七代CSTBTTM ,構(gòu)造更加簡單,芯片厚度進一步減小,性能也得到穩(wěn)步提升。

年復(fù)一年的經(jīng)驗累積,代代相傳的工藝積淀,相比第一代IGBT,三菱電機第七代IGBT的性能指數(shù)已經(jīng)提升18倍。

第七代IGBT模塊采用了第七代IGBT硅片和新型RFC二極管硅片,有效減小了芯片厚度,因而可以有效降低產(chǎn)品能耗。此外,獨特的芯片架構(gòu)使得模塊性能更加可靠,使用也更加方便。

三菱電機的IGBT模塊主要應(yīng)用在工業(yè)自動化、新能源、牽引和電力,以及電動汽車領(lǐng)域。其中,在新能源發(fā)電特別是光伏、風(fēng)力發(fā)電領(lǐng)域,三菱電機在2018年順利推出基于LV100型封裝的新型IGBT模塊。通過不斷改善芯片技術(shù),在軌道牽引應(yīng)用領(lǐng)域,X系列HVIGBT不僅拓寬了安全工作區(qū)域度,提升了電流密度,而且增強了抗?jié)穸若敯粜?,從而進一步提高了牽引變流器現(xiàn)場運行的可靠性。而在電動汽車領(lǐng)域,直接水冷型J1系列Pin-fin模塊憑借封裝小、內(nèi)部雜散電感低的獨特性能,獲得了市場青睞。

在新能源電動車蓬勃發(fā)展的市場需求推動下,三菱電機推出了豐富的針對電動車用標(biāo)準功率模塊系列,產(chǎn)品涵蓋空調(diào)逆變器用DIPIPMTM、車載充電器用SiC分立器件,及車載主驅(qū)逆變器用J1系列功率模塊等。

以J1系列功率模塊為例,針對純電動、插電式混動、普通混動等細分車型,J1系列產(chǎn)品線覆蓋650V至1200V不同電壓等級,適合于小、中、大三類不同功率等級的新能源車用場景。

除了豐富的產(chǎn)品型號選擇,電動車用直接水冷型J1系列Pin-fin模塊不僅具有封裝小、內(nèi)部雜散電感低的獨特性能,同時兼具緊湊、輕量、高散熱能力、高功率密度等四大優(yōu)點,完全符合車用電力電子技術(shù)發(fā)展對功率模塊體積小、重量輕、功耗低、品質(zhì)高的要求。

改良封裝技術(shù),縮減模塊體積

電力電子技術(shù)的不斷進步使得功率模塊朝著多功能化、小型化與低成本的方向全面發(fā)展。其中封裝工藝正扮演著越來越重要的角色,這直接影響著功率器件和集成電路的整體性能,也成為決定功率器件體積、重量、應(yīng)用方便性、壽命、性能及成本的關(guān)鍵因素。與對芯片技術(shù)的不斷探索一樣,三菱電機對改善封裝技術(shù)孜孜以求,臻于至善。

在功率模塊封裝技術(shù)陣營,三菱電機是壓鑄模封裝功率模塊的先鋒。根據(jù)不同產(chǎn)品采用不同封裝技術(shù)的原則,在小容量消費類DIPIPM產(chǎn)品中,三菱電機采用了壓注模封裝;在中容量工業(yè)產(chǎn)品、電動汽車專用產(chǎn)品中,采用盒式封裝;而在大容量,特別是軌道牽引高鐵應(yīng)用場景中,則采用基于高性能碳化硅鋁底板的盒式封裝。

在外界公認的印象中,三菱電機一直是變頻家電領(lǐng)域的絕對領(lǐng)導(dǎo)者。在變頻家電領(lǐng)域,面向變頻冰箱、空調(diào)、洗衣機和風(fēng)機驅(qū)動等應(yīng)用場景,三菱電機的DIPIPMTM強大產(chǎn)能即是最好的例證。根據(jù)權(quán)威機構(gòu)數(shù)據(jù)統(tǒng)計,自發(fā)貨以來截止到2019年1月,DIPIPMTM產(chǎn)品累計發(fā)貨已經(jīng)超過6.5億片。

與此同時,三菱電機在去年9月1日面向市場推出的表面貼裝型IPM功率模塊,以高性能與高可靠性為特色,必然會再一次穩(wěn)固三菱電機功率模塊產(chǎn)品在變頻智能家電領(lǐng)域的強勢地位。

在封裝技術(shù)方面,以DIPIPMTM系列產(chǎn)品為例,三菱電機借助IPM產(chǎn)品設(shè)計累積的豐富經(jīng)驗, DIPIPMTM產(chǎn)品封裝也越來越趨于小型化。DIPIPMTM一方面通過采用最新的第七代IGBT技術(shù)降低損耗與提高性能,同時縮小硅片面積;另一方面通過集成BSD,大大減少了外圍器件數(shù)量,顯著降低成本。

在至關(guān)重要的技術(shù)前沿,三菱電機始終領(lǐng)先一步。尤其值得注意的是,在封裝材料方面,三菱電機把絕緣層材料從樹脂注塑升級為環(huán)氧樹脂墊片,在保證絕緣性能的前提下,使散熱設(shè)計布線更簡單,從而讓整體設(shè)計更加簡單緊湊。

最近,三菱電機獨創(chuàng)的DIPIPM+TM產(chǎn)品,將整流、逆變和制動單元進行整合,形成了整流逆變制動一體化的雙列直插型智能功率模塊。通過封裝技術(shù)的創(chuàng)新,DIPIPM+TM 的高集成度與高性價的優(yōu)點更加凸顯。

以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料在功率模塊半導(dǎo)體領(lǐng)域正在掀起新一輪的市場競爭。而早在20世紀末90年代初,三菱電機便開始了SiC功率器件的基礎(chǔ)研發(fā)工作,在攻克了基礎(chǔ)工藝技術(shù)難點之后,三菱電機SiC功率器件產(chǎn)品在工業(yè)及新能源、軌道牽引、汽車等不同應(yīng)用領(lǐng)域先后樹立了豐碑。基于對產(chǎn)品品質(zhì)高要求的態(tài)度,以及對產(chǎn)品價值鏈的全局思考,三菱電機當(dāng)前對SiC功率模塊的推廣穩(wěn)扎穩(wěn)打,也許這就是作為“現(xiàn)代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域開拓者”的底氣所在。

眾所周知,三菱電機已經(jīng)成立將近100年。在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,三菱電機對IGBT模塊與智能功率模塊IPM的耕耘傳承,詮釋了這個兼具技術(shù)實力與青春活力的百年老店——一面是堅守,一面是創(chuàng)新。

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