本公眾號【讀芯樹：duxinshu_PD】主要介紹數(shù)字集成電路物理設(shè)計(jì)相關(guān)知識，才疏學(xué)淺，如有錯(cuò)誤，歡迎指正交流學(xué)習(xí)。

這是集成電路物理設(shè)計(jì)的第一個(gè)系列【physical cell】的第一篇文章，也是本公眾號的第一篇文章，從boundary cell說起：

1，什么是boundary cell？

• boundary cell也叫做endcap cell, 一般會放置在floorplan的四周，ROW的邊界。

2，為什么需要insert boundary cell?

• 在芯片制造的過程中，最邊界的standard cell最容易受到損傷，為減少standard cell的制造過程中的損傷，需要在邊界放置boundary cell，boundary cell有dummy poly gate，當(dāng)制造過程中的損傷發(fā)生在邊界時(shí)，boundary cell的損傷不會影響正常standard cell的功能。

• 如果沒有在邊界放置boundary cell， 可能會對芯片的功能造成不可逆的損傷。

• 在well和implant 層之間不能有g(shù)ap，否則會有drc，boundary cell保證了well和implant 層之間沒有g(shù)ap。

• boundary cell的poly extension保證了standard cell的source/drain不會出現(xiàn)在邊界。

• boundary cell放置在row的邊界同時(shí)保證了邊界的well tie的需求。
  

3，boundary cell的layout是什么樣的？

• boundary cell沒有l(wèi)ogic pin，只有VDD/GND的連接；

• boundary cell在最左或者右側(cè)擴(kuò)展NWELL來減小well proximity effects (WPE 見5)。

• boundary cell有dummy poly用于保護(hù)standard cell 的gate。

• boundary cell的poly layer會被切斷 （Poly Cut layer）
  

4，如何在floor plan階段insert boundary cell？

5, 什么是阱臨近效應(yīng)（WPE: Well Proximity Effect）

• WPE會影響芯片的性能和良率。

• 在芯片制造的過程中，會出現(xiàn)各種制造的二級效應(yīng)，靠近阱邊界的晶體管和非邊界的晶體管的性能相比有很大的不同，這會造成晶體管速度有+/-10%的差異。

• 離子注入阱的過程中，在阱邊界（光刻膠）會造成注入離子的反射散射，位于阱邊界的晶體管有不同的離子注入情況，這會造成該晶體管不同的性能表現(xiàn)。

6,參考文獻(xiàn)