晶體是計算機、通訊、航空、激光技術等領域的關鍵材料。傳統(tǒng)制備大尺寸晶體的方法，通常是在晶體小顆粒表面“自下而上”層層堆砌原子，好像“蓋房子”，從地基逐層“砌磚”，最終搭建成“屋”。

北京大學科研團隊在國際上首創(chuàng)出一種全新的晶體制備方法，讓材料如“頂著上方結構往上走”的“頂竹筍”一般生長，可保證每層晶體結構的快速生長和均一排布，極大提高了晶體結構的可控性。這種“長材料”的新方法有望提升芯片的集成度和算力，為新一代電子和光子集成電路提供新的材料。這一突破性成果于7月5日在線發(fā)表于《科學》雜志。

圖為用“晶格傳質-界面生長”新方法制備晶圓級二維晶體。受訪者供圖

北京大學物理學院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所所長劉開輝教授介紹，傳統(tǒng)晶體制備方法的局限性在于，原子的種類、排布方式等需嚴格篩選才能堆積結合，形成晶體。隨著原子數(shù)目不斷增加，原子排列逐漸不受控，雜質及缺陷累積，影響晶體的純度質量。為此，急需開發(fā)新的制備方法，以更精確控制原子排列，更精細調控晶體生長過程。

為此，劉開輝及其合作者原創(chuàng)提出名為“晶格傳質-界面生長”的晶體制備新范式：先將原子在“地基”，即厘米級的金屬表面排布形成第一層晶體，新加入的原子再進入金屬與第一層晶體間，頂著上方已形成晶體層生長，不斷形成新的晶體層。

實驗證明，這種“長材料”的獨特方法可使晶體層架構速度達到每分鐘50層，層數(shù)最高達1.5萬層，且每層的原子排布完全平行、精確可控，有效避免了缺陷積累，提高了結構可控性。利用此新方法，團隊現(xiàn)已制備出硫化鉬、硒化鉬、硫化鎢等7種高質量的二維晶體，這些晶體的單層厚度僅為0.7納米，而目前使用的硅材料多為5到10納米。

圖為基于二維晶體的電子和光子集成電路。受訪者供圖

“將這些二維晶體用作集成電路中晶體管的材料時，可顯著提高芯片集成度。在指甲蓋大小的芯片上，晶體管密度可得到大幅提升，從而實現(xiàn)更強大的計算能力。”劉開輝說，此外，這類晶體還可用于紅外波段變頻控制，有望推動超薄光學芯片的應用。